Os implantes proporcionam retenção e estabilidade nas próteses implanto-suportadas, reabilitando de forma bastante eficiente os espaços de dentes perdidos. Estudos tem demonstrado que a perda óssea peri-implantar pode estar associada ao tamanho e diâmetro dos implantes, e a extensão do componente protético da plataforma do implante, a qual deve estar entre 3,3 mm e 6 mm. Além disso, a perda óssea observada na superfície dos implantes osseointegrados parece também estar relacionada a carga mastigatória oclusal a que os implantes são submetidos, embora sejam fracas as evidencias disponíveis até o momento. Diante disso, o presente estudo tem como objetivo avaliar, através de modelo fotoelástico, o estresse peri-implantar, mediante a aplicação de forças com cargas axiais (100 N e 200 N) e anguladas a 45º (100 N) sobre a infraestrutura em corpos de resina epóxi com implantes do tipo Cone Morse simulando crista óssea em diferentes níveis de inserção. Foi confeccionado um modelo fotoelástico e analisadas áreas de tecido ósseo de suporte e a estrutura do implante. Os resultados foram analisados visualmente a partir das franjas fotoelásticas geradas no polariscópio e registrados com câmera digital. As tensões fotoelásticas foram analisadas e comparadas visualmente por contagem de número de franjas ao redor de cada implante. Foram observadas tensões de maior magnitude no grupo ao nível da crista em relação aos subcrestais no carregamento axial de 100 N. As tensões foram maiores no grupo ao nível da crista e 1 mm subcrestal em relação ao 2 mm subcrestal. No grupo com angulação de 45º ocorreram tensões com maior magnitude no grupo ao nível da crista e 2 mm subcrestal. As franjas de maior ordem foram observadas no grupo da angulação de 45º. Nas cargas axiais ocorreu maior intensidade de tensão quando o implante foi inserido a nível crestal. A menor intensidade de tensão foi encontrada no implante inserido 2 mm subcrestal durante a realização dos testes.
Palavras-chave: Implantes dentários. Implantes osseointegrados. Fotoelasticidade. Ver menos